中科君芯JFG105N100L 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ?是一种电子元件，主要用于电池管理系统和电源管理、消费适配器、电子工具和DC/DC 转换器。其工作原理基于增强型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），通过控制栅极电压来调节源极和漏极之间的导电通道，从而实现电流的控制。

功能特性：

? 设备额定电压VDS:=30V,连续工作时漏极电流上限 ID = 8A

? 导通电阻=15mΩ (typ.) 栅源电压= 10V, 漏极电流 = 8A

导通电阻=25mΩ (typ.) 栅源电压= 4.5V, 漏极电流 = 6A

? 专有高密度沟槽技术

?环保标准?：符合RoHS 标准，无铅封装，环保性能良好，不含卤素或卤素含量极低

封装：SOP-8L

参数：

?VDS（Drain-Source Voltage）?：30V
?VGS（Gate-Source Voltage）?：±20V
?ID（Continuous Drain Current）?：Tc=25°对应最大漏极电流上限8.9A,Tc=70°对应漏极电流上限最大值7.1A
?IDM（Pulsed Drain Current）：64A
PD（Total Power Dissipation）?：TC = 25℃ 对应2.15W,TA = 70℃对应0.86W
EAS单脉冲雪崩能量:8mJ
RθJA热阻:58°C\W
RθJL:结到壳的热阻:20°C\W
?TJ?\TSTG?:-55 to +150°C
注：电气特性 除非另有说明，TC=25℃