微型PECVD系统BTF-1200C-S-PECVD
微型PECVD系统BTF-1200C-S-PECVD
产品价格:¥1.00(人民币)
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    商品详情

      主要特点

       
          1. 薄膜沉积速率高:采用了甚高频技术,大大的提高了薄膜的沉积速率,沉积速率可达10?/S;
          2. 大面积均匀性高:采用了先进的多点射频馈入技术,特殊气路分布和加热技术等,使得薄膜均匀性指标达到8%;
          3. 一致性高:用半导体行业的先进设计理念,使得一次沉积的各基片之间偏差低于2%;
          4. 工艺稳定性高:高度稳定的设备保证了工艺的连续和稳定;
          5. 选配物料喷射系统,可将原料直接喷射到反应区。
          6.专利号:ZL201320052532.0  (专利产品,防伪必究)。
       
      技术参数

       

       

       
       

      真空管式炉

      炉管尺寸:

      外径Φ50×700mm

      极限温度:

      1200℃

      温度控制器:

      PID自动控制晶闸管(可控硅)输出功率,30段可编程控制器

      最快升降温速率:

      60

      加热区:

      230mm

      恒温区:

      100mm

      温度精度:

      ±1℃

      电源:

      单相220V,交流50Hz

       

       

       

      多通道流量计控制系统

      标准量程:

      100,200SCCM;(以氮气标定,除以上标准外量程可选)

      准确度:

      ±1.5%

      工作压差范围:

      0.1~0.5 MPa

      最大压力:

      3MPa

      接头类型:

      Φ6双卡套不锈钢接头

       

       

      高真空系统

                         

       

      泵体积流量N2

      33 L/S

      压缩比:

      ≥1011mbar   

      实验真空值:

      ≤10-6mbar

      功率消耗:

      140W

      启动时间:

      2min

      电源要求:

      185-265V AC

      射频电源

      信号频率:

      13.56MHz±0.005%W

      功率输出范围:

      0-100W

      最大反射功率:

      10W

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