behlke高压开关

开关，电流取决于导通时间，可控硅晶闸管。 千安应用，充电和放电，撬棍。
  开关，固定导通时间，标准，MOSFET。一般脉冲应用、充电和放电、脉冲电场。
  开关，固定导通时间， 高di/dt，MOSFET。大电流、高频、的突发能力、快速充放电。 

  开关，固定导通时间，超快， MOSFET 。大电流、高di/dt 、中低频、超快充放电。
  开关，固定导通时间，低导通电阻，沟槽 FET。  大电流，中速充放电。
  开关，可变导通时间，标准，MOSFET。 一般脉冲和开关应用，快速上升时间，高频。
  开关，可变导通时间，高 di/dt，MOSFET。 ^ hIGH在中等频率的电流，快速上升时间。
  开关，可变导通时间，低电容，MOSFET。 低耦合电容。LC2 拓扑结构具有出色的瞬态抗扰度。
  开关，可变导通时间，低导通电阻，碳化硅 FET 和沟槽 FET。 高电流、低导通损耗
  开关，可变导通时间，交流 MOSFET。pos的双向开关。＆否定。电压无极变化。交流高达 5 MHz。 

  开关，可变导通时间，IGBT。中等频率下的高 di/dt 和电流能力。真正的通断开关。
  开关，可变导通时间，MCT 晶闸管。 中等频率下的高 di/dt 和电流能力。真正的通断开关。
  开关，可变导通时间，推挽，MOSFET。半桥配置中的两个开关路径。真正的方波脉冲。
  开关，可变导通时间，交流推挽，MOSFET。无极性变化的正负电压半桥。
   高压脉冲发生器单元。实验室脉冲发生器单元、特殊用途的 OEM 脉冲发生器单元、普克尔斯电池驱动器。